超致半导体(SuperSemi)推出全球首款超结IGBT产品

超结IGBT (SJ-IGBT)是采用超结(Superjunction)结构，即在传统IGBT器件结构基础上，在外延层增加重复排列的PN柱的新型功率半导体器件。

上海超致半导体科技有限公司利用国内知名8英寸工艺代工平台，采用具有自主知识产权的SJ-IGBT器件结构，推出全球首款量产SJ-IGBT产品。

SJ-IGBT器件延续了传统IGBT器件高耐压、低导通电压、高电流密度、高可靠性等优势，同时基于超结概念的结构设计提升了IGBT器件的综合性能。

更高的电流密度：相比于当前最先进的微沟槽+场阻止结构IGBT，SJ-IGBT器件的电流密度能力提升至少20%，达到360A/cm2。

强壮的短路特性：先进的器件元胞和终端结构设计，SJ-IGBT器件具有10us的短路耐量，可应用于高可靠性要求的直流无刷电机、变频器、汽车电子等领域。

更低的饱和导通压降：超结结构引入的横向电场提高SJ-IGBT器件的击穿电压，因此同等耐压级别下，器件漂移区掺杂浓度更高，因而正向导通时电压降更小。

更快的开关速度：更高的漂移区掺杂浓度使得器件导通时电导调制程度降低，关断时需抽取的空穴总量减少，超结结构引入的P柱提供辅助耗尽作用，提高了器件开关速度，有助于SJ-IGBT器件适用于高频应用场景。

更小封装形式： SJ-IGBT器件更高的电流密度能力可大大缩小芯片面积，从而减小器件的封装尺寸要求。超致半导体可提供采用TO220封装的额定电流达到40A的带快恢复二极管的SJ-IGBT产品。

上海超致半导体科技有限公司可提供600V级10A/15A/20A/30A/40A/75A等SJ-IGBT产品。根据应用场景，可以提供高短路耐量类、高开关频率类、低导通电压类等不同类型产品，以满足客户需求。

后续超致半导体将完善600V级产品系列，并将陆续推出650V 级消费类、工业类SJ-IGBT产品和750V汽车级SJ-IGBT产品。